FZ Silicon Wafer félvezető
Leírás Az FZ szilícium ostya egy nagy tisztaságú szilícium lapka, amelyet általában a félvezetőiparban használnak. Az FZ a Float Zone rövidítése, amely az egykristályos szilícium termesztésének módszere. Az FZ folyamat során egy szilícium rudat függőlegesen felfüggesztenek egy magas hőmérsékletű kemencében, és...
Leírás
Leírás
Az FZ szilícium ostya egy nagy tisztaságú szilícium lapka, amelyet általában a félvezetőiparban használnak. Az FZ a Float Zone rövidítése, amely az egykristályos szilícium termesztésének módszere.
Az FZ folyamat során egy szilícium rudat függőlegesen felfüggesztenek egy magas hőmérsékletű kemencében, és a rúd egy kis részének melegítésével olvadt zónát hoznak létre. Az olvadt zóna a rúd hosszában elmozdul, és ahogy lehűl, egykristálylá szilárdul meg. A folyamatot többször megismételjük, amíg a rúd teljes hossza egykristálygá nem alakul.
Az FZ szilícium lapkák tisztasága nagyon magas, a szennyeződések szintje jellemzően kevesebb, mint egy milliárd rész. Ez a tisztaság ideálissá teszi őket nagy teljesítményű elektronikus eszközökben, például mikroprocesszorokban, memóriachipekben és napelemekben való használatra. Az FZ lapkákat tudományos kutatásban, valamint nagy teljesítményű érzékelők és detektorok gyártásában is használják.
Leírás
| Átmérő | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Növekedési módszer | F Z | |||||
| Irányultság | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Típus/adagoló | Intrinsic, N típusú/Phos, P típusú/bór | |||||
| Vastagság (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Vastagság tolerancia | Normál ± 25um | ±50um | ||||
| Ellenállás (Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 és 1-5 | |||||
| Felület kész | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (hm) | Alapértelmezett< 10 um | |||||
| Íj/Warp (hm) | Alapértelmezett<40 um | |||||

Népszerű tags: fz szilícium ostya félvezető
A szálláslekérdezés elküldése
Akár ez is tetszhet
